(19)国家知识产权局
(12)发明 专利申请
(10)申请公布号
(43)申请公布日
(21)申请 号 202210975176.3
(22)申请日 2022.08.12
(71)申请人 西安电子科技大 学
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
(72)发明人 张依轩 翦璋 焦永昌 张玉
赵勋旺
(74)专利代理 机构 陕西电子 工业专利中心
61205
专利代理师 陈宏社 王品华
(51)Int.Cl.
G06F 30/20(2020.01)
G06F 17/16(2006.01)
(54)发明名称
基于等效源法的线性阵列天线单切面近场
测量方法
(57)摘要
本发明提出了一种基于等效源法的线性阵
列天线单切面近场测量方法, 实现步骤为: 获取
线性阵列天线工作频率点的近场电场信号; 构建
等效源模型; 获取关联系数矩阵; 获取等效源基
函数系数向量; 获取线性阵列天线单切面的近场
测量结果。 本发 明所构建的等效源模 型为包括中
心位于平面直角坐标系原点且沿线阵天线线性
排列的M个等效源点的模型, 相比于现有技术由
线性等效源模型计算的关联系数矩 阵所含元素
更少, 且在求解等效源基函数系数的计算中只需
要进行向量与矩阵的计算, 避免了现有技术采用
平面等效源模型导致的需要进行复杂矩 阵计算
的缺陷, 有效提高了测量效率。
权利要求书2页 说明书4页 附图2页
CN 115358061 A
2022.11.18
CN 115358061 A
1.一种基于等效源法的线性阵列天线单切面近场测量方法, 其特征在于, 包括以下步
骤:
(1)获取线性阵列天线工作频率 点的近场电场信号:
(1a)初始化中心位于平面直角坐标系原点且沿Y方向排列的线阵天线的工作频率点为
f0, f0对应的波长 λ0, 线性阵列天线长度为d;
(1b)在频率点f0下对线性阵列天线的近场区域 分别进行C次近场采样, 得到离散电场信
号向量UC×1={U1,U2,...,Uc,...,UC}, 其中, Uc表示第c个坐标为(xc,yc)的采样点对应的离
散电场信号, c∈{1,2,. ..,C};
(2)构建等效源 模型:
构建包括中心位于平面直角坐标系原点且沿Y方向线性排列的M个等效源点的等效源
模型, 相邻等效源点之间的间距为Δλ0, 第m个等效源点的坐标为( x'm,y'm), 其中Δλ0≥
0.001λ0, m∈{1,2,. ..,M},
表示向上 取整;
(3)获取关联系数矩阵:
(3a)通过每个采样点的坐标(xc,yc)和每个等效源点的坐标(x'm,y'm)计算每个等效源
点到每个采样点的距离Rc,m;
(3b)通过每个等效源点到每个采样点的距离Rc,m和关联基函数Λm(x,y)计算关联系数
Ac,m, 并将所有关联系数Ac,m组合为维度 为C×M的关联系数矩阵AC×M, 其中关联系数Ac,m的计
算公式为:
其中
表示以Sm为边界的二重积分, e表示自然对数, Λm(x,y)表示在X轴和Y轴的自
变量坐标分别为x, y的第m个关联基函数, Sm表示Λm(x,y)的分布区域;
(4)获取等效源基函数系数向量:
采用矩量法, 并通过频率点f0下的离散电场信号向量UC×1与关联系数矩阵AC×M计算等效
源基函数系数向量JM×1;
(5)获取线性阵列天线单切面的近场测量结果:
对等效源 基函数系数向量JM×1进行远场外推, 得到极坐 标轴下以
为角度坐 标的中心工
作频率点单切面远场方向图
其中, Jm表示等效源基函数系数向量JM×1中的第m个等效源基函数系数。
2.根据权利要求1所述的基于等效源法的线性阵列天线单切面近场测量方法, 其特征
在于, 步骤(3a)中所述的每 个等效源点到每 个采样点的距离Rc,m, 计算公式为:权 利 要 求 书 1/2 页
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CN 115358061 A
23.根据权利要求1所述的基于等效源法的线性阵列天线单切面近场测量方法, 其特征
在于, 步骤(3b)中所述的关联基函数Λm(x,y), 其表达式为:
4.根据权利要求1所述的基于等效源法的线性阵列天线单切面近场测量方法, 其特征
在于, 步骤(4)中所述的计算 等效源基函数系数向量JM×1, 计算公式为:
UC×1=AC×MJM×1权 利 要 求 书 2/2 页
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CN 115358061 A
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专利 基于等效源法的线性阵列天线单切面近场测量方法
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