ICS29.045 CCSH83 中华人民共和国国家标准 GB/T35305—2026 代替GB/T25075—2010,GB/T35305—2017 太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片 Galliumarsenidemonocrystallineandmonocrystallinepolishedwafersfor solarcell 2026-01-28发布 2026-08-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T35305—2017《太阳能电池用砷化镓单晶抛光片》和GB/T25075—2010《太阳能 电池用砷化镓单晶》,本文件以GB/T35305—2017为主,整合了GB/T25075—2010的内容。与 GB/T35305—2017相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下: a) 增加了“ϕ150.0mm、ϕ200.0mm”直径规格(见4.1.2); b) 更改了电学性能、参考面的长度、表面晶向和晶向偏离、几何尺寸及位错密度的要求(见5.1~ 5.5,2017年版的4.2和4.3); c) 删除了强度要求(见2017年版的4.4); d) 更改了表面质量要求(见5.6,2017年版的4.5); e) 增加了径向电阻率变化检验内容(见6.1.4); f) 删除了弯曲度检验内容(见2017年版的5.5); g) 更改了砷化镓单晶抛光片的取样要求(见7.4.2,2017年版的6.4); h) 更改了检验结果的判定(见7.5,2017年版的6.5); i)更改了包装要求(见8.2,2017年版的7.2)。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位:南京集溢半导体科技有限公司、中山德华芯片技术有限公司、全磊光电股份有限 公司、云南鑫耀半导体材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京伟福科技有限公司、 中国科学院半导体研究所、大庆溢泰半导体材料有限公司。 本文件主要起草人:赵中阳、郑红军、冯家峰、于会永、杨文奕、张永、林作亮、李素青、陈仕天、赵有文、 赵春锋。 本文件于2017年首次发布,本次为第一次修订,并入了GB/T25075—2010的内容。 ⅠGB/T35305—2026太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片 1 范围 本文件规定了太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片的分类和牌号、技术要求、检验规则、标志、包装、 运输、贮存及随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片的生产、检测及质量评价。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T191 包装储运图形符号标志 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样 计划 GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T8760 砷化镓单晶位错密度的测试方法 GB/T11093 液封直拉法砷化镓单晶及切割片 GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T14140 半导体晶片直径测试方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4 分类和牌号 4.1 分类 4.1.1 太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片按导电类型分为n型和p型2种。 1GB/T35305—20264.1.2 太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片按直径分为ϕ100.0mm、ϕ150.0mm、ϕ200.0mm3种规格。 4.2 牌号 砷化镓单晶抛光片的牌号表示应符合GB/T14844的规定。 5 技术要求 5.1 电学性能 砷化镓单晶及抛光片的电学性能应符合表1的规定。 表1 砷化镓单晶及抛光片的电学性能 项目要求 n型 p型 电阻率 Ω·cm1×10-2~1×10-31×10-1~1×10-3 迁移率 cm2/(V·s)≥1000 ≥40 载流子浓度 cm-31×1017~5×10181×1017~5×1019 径向电阻率变化 <15% <15% 注:n型掺杂剂包括:Si、Te、S、Se、Sn;p型掺杂剂包括:Zn、Cd、Be、Mn、Fe、Co、Mg。 5.2 参考面的取向和长度/切口的取向、深度和开角 5.2.1 ϕ100.0mm和ϕ150.0mm砷化镓抛光片参考面的取向和长度应符合表2的规定。 表2 砷化镓抛光片参考面的取向和长度 项目 要求 规格ϕ100.0mm ϕ150.0mm 参考面选择 V型槽 燕尾槽 主参考面取向 [011]±0.5°规定砷面为主参考面 [011]±0.5°规定镓面为主参考面 副参考面取向 从主参考面逆时针转90°±0.5° 从主参考面顺时针转90°±0.5° 主参考面长度 (32±1)mm (48±1)mm 副参考面长度 (18±1)/0mm (28±1)/0mm 5.2.2 ϕ150mm和ϕ200mm砷化镓抛光片切口的取向、深度和开角应符合表3的规定。 2GB/T35305—2026表3 砷化镓抛光片切口的取向、深度和开角 项目 要求 取向 [010]±2° 深度 1°~1.25° 开角 89°~95° 注:目前ϕ150.0mm以下的砷化镓抛光片暂无切口要求。 5.3 表面晶向及晶向偏离 砷化镓抛光片的表面晶向及晶向偏离应符合表4的规定,需方有其他要求时,由供需双方协商确 定,并在订货单中注明。 表4 表面晶向及晶向偏离 表面晶向 主边 晶向偏离 偏向 [100] [011] 9°±0.5° [011] [100] [011] 15°±0.5° [011] 5.4 几何尺寸 砷化镓单晶的直径及允许偏差应符合表5的规定,砷化镓抛光片几何尺寸应符合表5的规定。 表5 几何尺寸 项目规格 ϕ100.0mm ϕ150.0mm ϕ200.0mm 直径及允许偏差 mm100±0.2 150±0.3 200±0.3 厚度及允许偏差 μm(300~650)±25 (400~675)±25 (500~750)±25 总厚度变化(TTV) μm≤15 ≤15 ≤20 平整度(TIR) μm≤8 ≤10 ≤15 翘曲度(Warp) μm≤10(厚度不小于450) ≤35(厚度小于450)≤20(厚度不小于450) ≤40(厚度小于450)≤20(厚度不小于450) ≤40(厚度小于450) 5.5 位错密度 砷化镓单晶及抛光片平均位错密度不大于2000个/cm2,需方有其他要求时,由供需双方协商确 定,并在订货单中注明。 3GB/T35305—20265.6 表面质量 5.6.1 砷化镓单晶表面应无孪晶、裂纹、夹杂、凹坑、微孔、崩边和沾污等。 5.6.2 砷化镓抛光片表面应无沾污、溶剂残留物、蜡残留物。砷化镓抛光片的表面质量还应符合表6 的规定。 表6 砷化镓抛光片的表面质量 规格 mm表面颗粒(≥0.3μm) 个近边缘区域径向尺寸 mm要求 近边缘区域合格质量区 边缘轮廓表面粗糙度 nm ϕ100.0 ≤30 ≤0.5 ϕ150.0 ≤50 ≤0.5 ϕ200.0 ≤50 ≤0.5无崩边无划痕、橘皮、 裂缝、凹坑边缘应光滑, 无明显的凸 起、凹坑或 锐利点0.3 5.7 砷化镓抛光片边缘轮廓 经边缘倒角后的砷化镓抛光片圆周上所有点(有切口时,切口内的点除外)应处于按YS/T26的规 定测量时的模板的清晰区域内,且抛光片边缘轮廓的任何部位不应有锐利点或凸起物,需方有其他要求 时,由供需双方协商确定,并在订货单中注明。 6 检验方法 6.1 电学性能 6.1.1 电阻率 电阻率的检测按GB/T4326规定进行。 6.1.2 迁移率 迁移率的检测按GB/T4326规定进行。 6.1.3 载流子浓度 载流子浓度的检测按GB/T4326规定进行。 6.1.4 径向电阻率变化 砷化镓抛光片的径向电阻率变化的检测按GB/T4326规定进行,再按公式(1)计算。 Δρ=(ρ中-ρ边)/ρ中×100% …………………………(1) 式中: Δρ———径向电阻率变化; ρ中———晶片半径的1/2处的电阻率,单位为欧姆厘米(Ω·cm); ρ边———晶片边缘处的电阻率,单位为欧姆厘米(Ω·cm)。 6.2 参考面的取向和长度/切口的取向、深度和开角 6.2.1 砷化镓抛光片的主副参考面取向的检测按GB/T13387的规定进行。 4GB/T35305—2026