ICS17.220.20 CCSL15 中华人民共和国国家标准 GB/T47563—2026 微机电系统(MEMS)技术 MEMS磁场传感器技术规范 Micro-electromechanicalsystems(MEMS)technology— TechnicalspecificationofMEMSmagneticfieldsensor 2026-04-30发布 2026-08-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会发布目 次 前言 Ⅲ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 术语和定义 1 ……………………………………………………………………………………………… 4 符号 2 ……………………………………………………………………………………………………… 5 分类 3 ……………………………………………………………………………………………………… 5.1 磁敏感轴方向 3 ……………………………………………………………………………………… 5.2 原理 4 ………………………………………………………………………………………………… 5.3 测量磁场类型 4 ……………………………………………………………………………………… 5.4 输出信号类型 4 ……………………………………………………………………………………… 6 技术要求 4 ………………………………………………………………………………………………… 6.1 基本要求 4 …………………………………………………………………………………………… 6.2 电气要求 5 …………………………………………………………………………………………… 6.3 性能要求 6 …………………………………………………………………………………………… 6.4 环境适应性与可靠性 7 ……………………………………………………………………………… 7 试验方法 8 ………………………………………………………………………………………………… 7.1 试验条件 8 …………………………………………………………………………………………… 7.2 外观 9 ………………………………………………………………………………………………… 7.3 电气试验 9 …………………………………………………………………………………………… 7.4 性能试验 10 …………………………………………………………………………………………… 7.5 环境适应性与可靠性试验 15 ………………………………………………………………………… 附录A(资料性) 磁学量单位换算 18 ……………………………………………………………………… 参考文献 19 …………………………………………………………………………………………………… ⅠGB/T47563—2026前 言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的有些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)提出。 本文件由全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC336)和全国集成电路标准化技术委员会 (SAC/TC599)共同归口。 本文件起草单位:中国电力科学研究院有限公司、中机生产力促进中心有限公司、北京智芯微电子 科技有限公司、西安交通大学、珠海多创科技有限公司、苏州矩阵光电有限公司、美的集团股份有限公 司、国家仪器仪表元器件质量检验检测中心、宜昌测试技术研究所、三桥惠(佛山)新材料有限公司、苏州 捷研芯电子科技有限公司、珠海芯森电子科技有限公司、宁波泰丰源电气有限公司、北京科技大学、国网 四川省电力公司营销服务中心、宁波中车时代传感技术有限公司、中国科学院上海微系统与信息技术研 究所、深圳市英唐智能控制股份有限公司、广东润宇传感器股份有限公司、浙江科丰传感器股份有限公 司、山东国创微纳制造研究院有限公司。 本文件主要起草人:王冠鹰、李根梓、葛俊、刘明、方东明、胡忠强、朱忻、熊贵林、于振毅、罗慧、 李福超、龙克文、程宇心、梁先锋、王志良、王翌雪、王建国、和波、潘琳斌、闻小龙、吕阳、吴金根、赵亚楠、 关蒙萌、陈浩、刘栋果、张波、陆阳、黄辉、鞠登峰、郭经红、江丽娟、阮炳权、戴华键、王建鲁。 ⅢGB/T47563—2026微机电系统(MEMS)技术 MEMS磁场传感器技术规范 1 范围 本文件规定了MEMS磁场传感器的分类、技术要求和试验方法。 本文件适用于线性MEMS磁场传感器的制造、使用、检验。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件。 GB/T2423.1—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A:低温 GB/T2423.2—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B:高温 GB/T2423.4—2008 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Db:交变湿热(12h+ 12h循环) GB/T2423.5—2019 环境试验 第2部分:试验方法 试验Ea和导则:冲击 GB/T2423.10—2019 环境试验 第2部分:试验方法 试验Fc:振动(正弦) GB/T2423.22—2012 环境试验 第2部分:试验方法 试验N:温度变化 GB/T4937.26 半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分:静电放电(ESD)敏感度测试 人体模型(HBM) GB/T7665 传感器通用术语 GB/T26111 微机电系统(MEMS)技术 术语 IEC60068-2-20 环境试验 第2-20部分:试验 试验Ta和试验Tb:带引线器件的可焊性和耐焊 热性试验方法(Environmentaltesting—Part2-20:Tests—TestTaandTb:Testmethodsforsolder- abilityandresistancetosolderingheatofdeviceswithleads) IEC60749-28 半导体器件 机械和气候试验方法 第28部分:静电放电(ESD)敏感度测试 带 电器件模型(CDM)器件级[Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part28: Electrostaticdischarge(ESD)sensitivitytesting—Chargeddevicemodel(CDM)—devicelevel] 3 术语和定义 GB/T7665和GB/T26111界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 MEMS磁场传感器 MEMSmagneticfieldsensor 利用MEMS技术加工制作,用于感应磁场强度或磁通密度(磁感应强度)的传感器。 3.2 霍尔效应 halleffect 在物质中任何一点产生的感应电场强度与电流密度和磁通密度之矢量积成正比的效应。 1GB/T47563—2026[来源:GB/T2900.60—2002,121.12.82,有修改] 3.3 磁(电)阻效应 magnetoresistanceeffect 由外加磁场引起的材料电阻变化的效应。 [来源:GB/T2900.60—2002,121.12.83,有修改] 3.4 磁电耦合效应 magnetoelectriccouplingeffect 由外加磁场变化引起材料电极化强度改变,或者外加电场变化引起材料磁化强度改变的效应。 3.5 巨磁阻抗效应 giantmagnetoimpedanceeffect 由外加磁场变化引起材料交流阻抗变化的效应。 3.6 磁通门原理 magneticfluxgateprinciple 利用高磁导率材料在交变饱和激励下产生的磁通量二次谐波信号与外加磁场成正比的原理来测量 磁场。 3.7 磁敏感轴方向 magneticallysensitiveaxisdirection 在笛卡尔坐标系(Oxyz)下,对特定轴向的磁输入信号具有最大输出响应的方向。 4 符号 符号名称和单位见表1。表1中的符号名称和单位适用于本文件。 表1 符号名称和单位 符号 参数名称 单位 b 最小二乘拟合直线的截距 V b+ 传感器正向测量数据的最小二乘拟合直线截距 V b- 传感器反向测量数据的最小二乘拟合直线截距 V BH 传感器的磁滞μT Bi 第i个测试点的标准磁场值 T BN,PP 传感器的峰-峰值噪声 pT BN,PSD 传感器的噪声谱密度pT/Hz Boffset 传感器的零点输出误差μT Boffset,T 零点输出误差-温度拟合直线的斜率 (μT)/℃ Boffset,T1 第一个温度点的零点输出误差μT kB 最小二乘拟合直线的斜率 V/T kB,T 灵敏度-温度拟合直线的斜率 (V/T)/℃ kB,T1 第一个温度点的灵敏度 V/T 2GB/T47563—2026