(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 20221081438 8.3 (22)申请日 2022.07.12 (71)申请人 成都华大九天科技有限公司 地址 610200 四川省成 都市双流区东升街 道花园社区银河路596号科研综合楼 13层 (72)发明人 张茹　尹文婷　李翡　朱能勇　 吾立峰　刘强　 (74)专利代理 机构 北京红花知识产权代理事务 所(普通合伙) 16030 专利代理师 林乐飞 (51)Int.Cl. G06F 30/373(2020.01) G01D 21/02(2006.01) (54)发明名称 一种基于ASM模型的GaN HEMT的参数提取方 法 (57)摘要 本申请公开了一种基于ASM模型的GaN  HEMT 的参数提取方法、 装置及计算机可读存储介质。 包括： 设定所述GaN  HEMT的工艺参数； 基于不同 的尺寸和 温度将一个以上的GaN  HEMT器件分为 一个或多个组， 其中， 各组中的GaN  HEMT器件分 别具有相同的尺寸和不同的温度， 针对各组GaN   HEMT器件， 首先选取具有第1尺寸S1、 第1温度T1 的第1GaN  HEMT器件， 调整不同输入参数值获取 第1GaN HEMT器件输出的多个测量数据， 并基于 所述测量数据生成测量曲线， 所述测量曲线包括 电容‑电压关系曲线； 提取电容_电压关系曲线的 相关参数； 保存第1GaN  HEMT器件的ASM模型； 将 所述ASM模型应用到具有同一尺寸S1的其他温度 的GaN HEMT器件,继续提取电容_电压关系曲线 的相关参数。 权利要求书2页 说明书13页 附图8页 CN 115204089 A 2022.10.18 CN 115204089 A 1.一种基于ASM模型的GaN  HEMT的参数提取 方法， 其特 征在于， 包括以下步骤： 设定所述GaN  HEMT的工艺参数， 所述工艺参数包括尺寸参数、 功能参数、 工作环境参数 中的一种或多种； 基于不同的尺寸和温度将一个以上的GaN  HEMT器件分为一个或多个组， 其中， 各组中 的GaN HEMT器件分别具有相同的尺寸和不同的温度， 针对各组GaN  HEMT器件， 执 行如下处 理： 选取具有第1尺寸S1、 第1温度T1的第1GaN  HEMT器件， 调 整不同输入参数值获取第1GaN   HEMT器件输出的多个测量数据， 并基于所述测量数据生成测量曲线， 所述测量曲线包括电 容‑电压关系曲线； 提取电容_电压关系曲线的相关参数； 保存第1GaN  HEMT器件的ASM模型； 将所述ASM模型应用到 具有相同第1尺寸S1的其他温度的GaN  HEMT器件,提取电容_电压 关系曲线的相关参数。 2.根据权利要求1所述的基于ASM模型的GaN  HEMT的参数提取 方法， 其特 征在于， 所述测量曲线还 包括电流 ‑电压关系曲线， 所述参数提取 方法还包括提取电流_电压关系曲线的相关参数。 3.根据权利要求1所述的基于ASM模型的GaN  HEMT的参数提取 方法， 其特 征在于， 所述工艺参数， 包括： 器件栅长L， 器件栅宽W， 工作温度T,器件栅指数NF， 器件栅源长度 LSG， 器件漏源长度LDG。 4.根据权利要求1所述的基于ASM模型的GaN  HEMT的参数提取 方法， 其特 征在于， 提取电容_电压关系曲线相关参数包括： 通过逆导电容_漏电压曲线、 输出电容_漏电压 曲线、 输入电容_漏电压曲线、 栅极电容_栅电压曲线提取相关参数。 5.根据权利要求2所述的基于ASM模型的GaN  HEMT的参数提取 方法， 其特 征在于， 提取电流_电压关系曲线的相关参数包括对参数先局部优化， 再全局优化， 所述局部优 化包括： 1)对漏电流_栅压曲线id_vg， 在低源漏电压Vds的低电流区提取阈值电压voff和亚阈 值斜率nfactor； 2)对漏电流_栅压曲线id_vg， 在低源漏电压Vds高电流区提取低场 迁移率参数u0， 迁移 率衰减系数ua， 迁移率 二阶衰减系数ub； 3)对漏电流_漏压曲线id_vd， 在高源漏电压Vds低电流区提取DIBL参数和亚阈值衰减 参数； 4)对漏电流_漏压曲线id_vd， 在高源漏电压Vds高电流区提取速度饱和参数， 在所述全局优化中对通过 上述局部优化获得的参数进行微调。 6.根据权利要求5所述的基于ASM模型的GaN  HEMT的参数提取方法， 其特征在于， 基于 使用了信赖域算法Trust ‑region的优化器进 行上述参数提取的局部优化和全局优化， 所述 优化器直接在一个区域中进行多维搜索查找最优值。 7.根据权利要求6所述的基于ASM模型的GaN  HEMT的参数提取 方法， 其特 征在于， 在优化过程中， 当优化的参数达 到边界值时， 该优化器自动扩增边界。 8.根据权利要求6所述的基于ASM模型的GaN  HEMT的参数提取 方法， 其特 征在于，权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115204089 A 2用脚本自定义参数提取的优化区间， 通过在脚本中调用用于指定优化区间范围的函 数， 在测量曲线图上框 选出需要提取参数的区域。 9.根据权利要求2所述的基于ASM模型的GaN  HEMT的参数提取 方法， 其特 征在于， 提取电容_电压曲线参数包括： 对逆导电容_漏电压crss_vds曲线提取漏源电容参数、 边缘电容参数、 偏置电压参数、 漏电饱和电压参数、 偏置电压参数； 对输出电容_漏电压 coss_vds曲线提取漏源电容 参数， 漏极边 缘电容参数； 对输入电容_漏电压 ciss_vds)曲线提取栅源交叠电容 参数； 对栅极电容_栅电压 cgg_vgs曲线提取AlGaN层厚度参数。 10.一种基于ASM模型的GaNHEMT参数提取装置， 其特征在于， 包括存储器和处理器， 所 述存储器上储存有在所述处理器上运行的程序， 所述处理器运行所述程序时执行权利要求 1‑9任一项所述的基于ASM模型的GaN  HEMT的参数提取 方法。 11.一种计算机可读存储介质， 其上存储有计算机指令， 其特征在于， 所述计算机指令 被处理器运行时执 行权利要求1 ‑9任一项所述的基于ASM模型的GaN  HEMT的参数提取 方法。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115204089 A 3